La memoria a cambiamento di fase (PCM) è una forma di memoria ad accesso casuale (RAM) del computer che memorizza i dati alterando lo stato della materia da cui è fabbricato il dispositivo. Secondo i suoi sostenitori, la tecnologia PCM ha il potenziale per fornire uno storage non volatile economico, ad alta velocità, ad alta densità e ad alto volume su una scala senza precedenti.
Poiché è molto più vicino in termini di velocità alla RAM dinamica (DRAM), la tecnologia di memoria a cambiamento di fase è ideale sia per i moduli di memoria dual in-line non volatili (NVDIMM) che per le unità a stato solido (SSD) NVMe (memoria non volatile). Oltre al vantaggio in termini di velocità, la tecnologia della memoria a cambio di fase è anche molto più durevole della flash e qualsiasi preoccupazione per il numero di scritture giornaliere che causano l'usura non è un problema. Il PCM è talvolta chiamato "RAM perfetta" (PRAM) perché i dati possono essere sovrascritti senza doverli cancellare prima.
La struttura del materiale PCM può cambiare rapidamente avanti e indietro tra amorfo e cristallino su scala microscopica. Nella fase amorfa o disordinata, il materiale ha un'elevata resistenza elettrica; nella fase cristallina o ordinata, la sua resistenza è ridotta. Ciò consente di accendere e spegnere le correnti elettriche, rappresentando gli stati digitali alti e bassi. Poiché la struttura fisica è tridimensionale, il numero di transistor che possono esistere in un chip di dimensioni fisse può essere massimizzato, consentendo al PCM di funzionare molte volte più velocemente della memoria flash convenzionale, utilizzando meno energia.