La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è la cifra di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.
Formalmente, per un dispositivo bipolare, la transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente del collettore e la variazione della tensione di base su un intervallo definito, arbitrariamente piccolo sulla curva della corrente del collettore rispetto alla tensione di base. Per un FET, la transconduttanza è il rapporto tra la variazione della corrente di drain e la variazione della tensione di gate su un intervallo definito, arbitrariamente piccolo sulla curva della corrente di drain rispetto alla tensione di gate.
Il simbolo della transconduttanza è gm. L'unità è thesiemens, la stessa unità utilizzata per la conduttanza in corrente continua (CC).
Se dI rappresenta una variazione della corrente di collettore o di drenaggio causata da una piccola variazione della tensione di base o di gate dE, la transconduttanza è approssimativamente:
gm = dI / dE
Quando la dimensione dell'intervallo si avvicina a zero, ovvero la variazione della tensione di base o di gate diventa sempre più piccola, il valore di dI / dE si avvicina alla pendenza di una linea tangente alla curva in un punto specifico. La pendenza di questa linea rappresenta la transconduttanza teorica di un transistor bipolare per una data tensione di base e corrente di collettore, o la transconduttanza teorica di un FET per una data tensione di gate e corrente di drain.